选FCB070N65S3上亿配芯城，立享高性能MOSFET稳定供应！
2025-10-11在功率电子领域，选择一款高效、可靠的MOSFET至关重要。FCB070N65S3 作为一款先进的650V耐压、70A电流的超级结MOSFET，凭借其卓越的性能，为众多高要求的应用提供了理想的功率开关解决方案。 核心性能参数亮点 FCB070N65S3的核心参数定义了其高性能定位： 击穿电压高达650V，提供了充足的电压裕量，确保系统在高压环境下稳定运行。 连续漏极电流达70A，具备强大的电流处理能力，可应对高功率场景。 超低的导通电阻，典型值仅为47mΩ，能显著降低导通损耗，提升整机效率，减少
选EP2C5T144C8N上亿配芯城，立享现货特惠，极速发货！
2025-10-11在电子设计与开发领域，选择一款性能稳定、资源丰富的FPGA芯片至关重要。Cyclone II系列的EP2C5T144C8N正是一款备受工程师青睐的经典器件，以其出色的性价比和灵活性，在各种应用中发挥着核心作用。 核心性能参数解析 EP2C5T144C8N的核心参数定义了其能力边界： 逻辑单元（LEs）：该芯片集成了4,608个逻辑单元，为中小规模数字逻辑设计提供了坚实的基础。 存储器资源：它拥有119,808比特的嵌入式存储器，可用于实现FIFO、RAM等存储功能，满足数据缓冲需求。 嵌入式乘
ATMEGA2560-16AU上亿配芯城 立享高性能MCU一站式采购
2025-10-10在当今快速发展的电子产品世界中，选择一款性能强大、资源丰富的微控制器（MCU）是项目成功的关键。ATMEL（现为Microchip）推出的ATMEGA2560-16AU正是一款在业界广受好评的高性能8位AVR®微控制器，以其卓越的处理能力和丰富的外设接口，成为众多复杂嵌入式应用的理想核心。 一、 强劲核心与丰富内存 该芯片的核心是基于AVR增强型RISC架构的8位微控制器，在16MHz的工作频率下，性能高达16 MIPS，确保了高效的指令执行速度。其最引人注目的特点之一是海量的片上存储器：25
助AI实现边缘计算的理想之选-FPGA
2024-07-30人类大脑之中有将近1000亿个神经元。虽然这是一个天文数字，但将这些神经元组织成网络的神经相连的数量是数万亿的数量级，而神经相连的数量明显影响大脑的能力。FPGA外部的互连性相似于人脑中的神经连接。FPGA中的可编程逻辑结构也以相似的方式互联，这就是为什么英特尔® FPGA是神经网络和其他人工智能工作负载构建的完美选择。在逻辑和线互连的层面之上，FPGA的位级动态可编程性就像一个敏捷的大脑，可变更注意力，将注意力分散在手头的具体任务之上。此外，FPGA的内部I/O在历史上还获取了其他硬件架构所
三星重金聘前理想AI芯片一号位骄旸加入，负责组建GPU团队
2024-05-084月12日消息，三星重金挖角业内大佬，组建自己的 GPU 团队，并与 AMD 深度合作，引入多代高性能、超低功耗的 AMD Radeon 图形解决方案。前理想汽车AI芯片一号位骄旸已加入三星，成为其 GPU 团队的核心成员，负责项目规划、团队创建。 三星近期还在接触从壁仞科技离职的联合创始人焦国方，他曾经负责创建高通骁龙团队，开发过 5 代 Adreno GPU 架构，以及华为鸿蒙OS的图像处理器。这些芯片将适用于 Galaxy 系列智能手机，并预计将在 2024 年下半年采用第二代 3nm
传英特尔芯片库存消化不理想折扣出售
2024-04-019月27日消息，英特尔表示，数据中心芯片库存消化时间比PC更长，整个数据中心业务将延迟复苏。传出折扣出售一批数据中心服务器CPU给腾讯和阿里等客户。 通用服务器需求低迷，与AI服务器需求热络形成对比。黄仁勋表示，购买更多AI服务器可以节省成本。采用GPU的AI服务器可以提供更高的效能，取代大量通用服务器。由于GPU封装产能不足，客户无法购买足够数量，导致订单量超出实际需求。通用服务器客户倾向于优化现有设备，延长使用寿命和资源重新分配，释放更大性能。 AI服务器和通用服务器的两极化现象不会无止境
理想自研芯片新进展:AI推理芯片和SiC功率芯片,团队已超1
2024-03-2711月22日，据晚点LatePost报道，理想汽车正在积极研发芯片自研技术，同时涉足智能驾驶场景的AI推理芯片和用于驱动电机控制器的SiC功率芯片。理想汽车芯片部门的总体人员规模已超过160人，分别位于北京、上海、美国硅谷和新加坡。 理想汽车在新加坡组建了研发团队，专注于SiC功率芯片的研发。最近，理想汽车在LinkedIn上发布了五个新的招聘岗位，涵盖了SiC功率模块故障分析、物理分析、设计、工艺和电气设计等领域的专家。这表明理想汽车在SiC功率芯片研发方面正在加大投入力度。 此外，理想汽车
意法半导体与理想汽车签署碳化硅供货长协
2024-03-2412月23日，意法半导体近日宣布，已与理想汽车签署了一份碳化硅（SiC）长期供货协议。根据协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，以支持理想汽车进击高压纯电动车市场的战略部署。 据悉，理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术。该技术的采用将有助于提高理想汽车的电动车性能和能源效率。此外，意法半导体还与重庆市政府以及三安光电签署了合作协议，将在重庆建立一个全新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。该合资厂计划于2025年
理想晶延首批光伏电池侧壁钝化EPD设备顺利出货
2024-01-18理想晶延最近发布的业界首款光伏切片电池侧壁钝化 (Edge Passivation Deposition EPD）设备正式整装出货，这标志着EPT技术已经从研发阶段进入了量产阶段。这一突破意味着理想晶延在高端装备核心技术领域取得了重大进展。 目前，已经有多家企业与理想晶延达成了合作，并验证了EPT技术对TOPCON、 HJT、PERC等电池组件的提效作用。这些企业已经成功地使用了EPT技术来提高电池的效率和性能。 为了保护这一创新技术的知识产权，理想晶延已经为EPD设备产品核心技术和工艺申请了